等離子體蝕刻可能是半導體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠操作中最復雜的。幾乎一半的晶圓制造步驟都依賴于等離子體，一種高能電離氣體來完成它們的工作。

盡管晶體管和存儲單元不斷縮小，工程師們仍在繼續(xù)提供可靠的蝕刻工藝。

Lam Research負責蝕刻產品集團營銷的公司副總裁Thomas Bondur表示：“為了可持續(xù)地制造出具有納米級精度和正確結構的芯片，晶圓廠設備制造商需要突破等離子體物理、材料工程和數據科學的界限，提供所需的設備解決方案?！?。這一點在等離子體蝕刻中最為明顯，等離子體蝕刻與光刻技術攜手合作，在晶圓上創(chuàng)造出精確、可重復的特征。

本報告研究了3D NAND、DRAM、納米片FET和互連中的關鍵蝕刻步驟，并展望了2D器件和后端處理。該行業(yè)也在追求更可持續(xù)的蝕刻化學，以減少其晶圓廠的等效二氧化碳排放。

對于許多工具制造商來說，工藝建模在蝕刻工藝開發(fā)中起著關鍵作用。目標是縮短上市時間，同時降低晶圓和掩模成本。

Lam Research高級營銷總監(jiān)Barrett Finch表示：“一些最棘手的步驟的蝕刻工藝優(yōu)化可能需要一年或更長時間才能完成。”?！拔覀冏罱谌軆韧瓿闪艘恍┻^程模擬工作，預計需要三個月的時間，使用典型的硅基測試和開發(fā)?！?/span>

僅就設備制造商的掩模和晶圓成本而言，這可能高達數十萬甚至數百萬美元。